Portfolio
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SoC embarqués
- Application d'interface utilisateur pour simulateur
- CI haute tension (40 V)
- Plans d'alimentation multiples (-12 V, 0 V, 5 V, 12 V et 28 V)
- Convertisseurs A/N et N/A 12 bits
- Interfaces SPI et ARINC 429
- Pilotes MOSFET haute puissance avec protection contre les surintensités
- Technologie haute tension 0,8 um
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Mesure de charge
- Faible bruit (3,5 nV/v(Hz))
- 132 canaux
- Faible consommation (5 mW/canal)
- Convertisseur A/N 16 bits intégré par canal
- Cycle de lecture court (6 us)
- ASIC pour application médicale
- Technologie haute tension 0,6 um
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Optoélectronique
- 64 canaux
- Courant d'attaque de 30 mA par canal
- ASIC haute vitesse (5 ns de 0 à pleine échelle)
- 4 convertisseurs N/A 8 bits
- SRAM intégrée
- Haute précision (+/- 2 % du courant nominal)
- CI haute puissance (5 W)
- Technologie 0,6 um
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SoC embarqués
- Microcontrôleur standard intégré (2 interfaces RS-232, interface I2C, 2 temporisateurs 16 bits)
- PROM 4 x 8 bits
- CAN 8 x 11 bits
- Erreur < 0,1 % par révolution électrique
- AGC pour le signal d'excitation
- Amplificateur de charge à faible bruit
- Filtre passe-bande du 4e ordre
- Filtre passe-bas du 4e ordre
- Technologie 0,35 um
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SoC embarqués
- Détecteur de densité
- Détecteur de signal CA
- ASIC alimenté par batterie
- Pilote LCD/DEL multi-segments intégré
- Technologie 0,6 um
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Commande de puissance
- ASIC haute tension (18 V)
- Double canal de contrôle PWM en mode courant
- OTP 32 bits pour contrôle et calibration
- Très faible consommation en veille
- Oscillateur à étalement de spectre
- Fonctions de sécurité
- Technologie haute tension 0,8 um
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Capteurs capacitifs
- ASIC haute tension (-35 V à +5 V)
- Très faible bruit (4 nV/v(Hz))
- 16 entrées, CAN 12 bits, échantillonnage 50 KHz
- Filtre à capacités commutées
- Contrôleur CC/CC élévateur intégré
- Technologie haute tension 0,8 um
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SoC embarqués
- Microcontrôleur standard intégré (RS-232, ROM 4 Ko, SRAM 1 Ko)
- Détecteur de densité
- Détecteur de métal
- Détecteur de signal CA
- Pilote LCD/DEL multi-segments intégré
- ASIC alimenté par batterie
- Technologie 0,6 um
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SoC embarqués
- Comparateurs haute vitesse
- Temporisation haute résolution
- Sans décalage
- Faible consommation
- Convertisseur N/A de courant 11 bits
- ASIC alimenté par batterie
- Technologie 0,6 um
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Mesure de charge
- Faible bruit (4 nV/v(Hz))
- 24 canaux
- Faible consommation (20 mW/canal)
- ASIC pour application médicale
- Technologie haute tension 0,6 um
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SoC embarqués
- Adaptable à tout protocole de communication numérique
- 4 codecs Delta-Sigma, A-law/u-Law
- Haute tension (15 V)
- Multiples VCA et AGC
- Filtre à capacités commutées
- Filtre numérique (DSP)
- Interface numérique/analogique FD
- Interface TDMA
- ASIC pour applications téléphoniques
- Technologie haute tension 0,8 um
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SoC embarqués
- Microcontrôleur standard intégré (3 interfaces RS-232, SPI, ROM 1 Ko, SRAM 2 Ko, FLASH 16 Ko, chien de garde)
- Amplificateur ECG double canal
- Capteur de détection tactile
- Faible consommation
- ASIC alimenté par batterie
- Technologie haute tension 0,6 um
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SoC embarqués
- OTP 64 bits
- Interface SPI
- 54 paires d'interrupteurs à faible Rds(on)
- Technologie haute tension 0,8 um
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SoC embarqués
- RAM double port 2048 x 9 bits
- Applications militaires
- Modes de contournement enregistré et transparent
- Compatible TTL
- Technologie haute tension 0,6 um
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Mesure de charge
- Faible bruit (4 nV/v(Hz))
- 64 canaux avec CAN 18 bits par canal
- Faible consommation (2 mW/canal)
- Temps de conversion 300 us
- Interface LVDS haute vitesse
- Boîtier fpBGA personnalisé
- Dispositif médical
- Technologie haute tension 0,6 um
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Mesure de charge
- Bruit ultra faible (100 e- RMS)
- 1024 canaux
- Faible consommation (0,6 mW/canal)
- 2 compteurs 14 bits par canal
- CAN 18 bits par canal
- Dispositif médical
- Encapsulation chip scale (CSP)
- Technologie haute tension 0,35 um
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SoC embarqués
- Débit de décalage série 50 MHz
- DPRAM 4096 x 9
- Applications de communications série, contrôleurs bande/disque et réseaux LAN
- Port d'entrée parallèle 9 bits et port de sortie série
- Technologie 0,6 um
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Capteurs capacitifs
- Interface SPI
- Interface UART
- CAN Delta Sigma 16 bits
- Filtre coupe-bande à capacités commutées 50/60 Hz
- Filtre passe-bas à capacités commutées du 4e ordre
- Régulateur interne 3,3 V
- Application biométrique
- Technologie haute tension 0,35 um
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SoC embarqués
- ASIC encodeur électrique avec modes binaire, décimal et naturel, jusqu'à 17280 pas par rotation à 6000 tr/min
- Génération interne de la forme d'onde d'excitation
- Interface I2C pour charger les données de calibration/configuration au démarrage depuis une EEPROM externe
- Filtres GmC maître/esclave
- Technologie 0,35 um
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Capteurs capacitifs
- Microcontrôleur standard intégré (ROM 2 Ko, SRAM 2 Ko, EEPROM 10 Ko, RS-232, SPI, I2C, temporisateur, chien de garde)
- 15 canaux d'excitation
- 10 canaux d'entrée avec amplificateurs de charge, filtre et CAN 12 bits
- Balayage à fréquences multiples
- Application d'affichage portable
- Technologie haute tension 0,35 um
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Commande de puissance
- Courant de sortie jusqu'à 1,2 A
- Haut rendement (jusqu'à 95 %)
- Large plage de tension d'entrée
- Interrupteur NDMOS 60 V interne
- Démarrage progressif intégré
- Arrêt basse consommation
- Fréquence de commutation jusqu'à 2 MHz
- Technologie haute tension 0,6 um
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Capteurs capacitifs
- Microcontrôleur standard intégré (ROM 16 Ko, SRAM 4 Ko, NVRAM 4 Ko, RS-232, I2C, temporisateur, chien de garde)
- 30 pilotes d'excitation
- 20 canaux d'entrée avec amplificateurs de charge, filtre et CAN 12 bits
- Balayage à fréquences multiples
- Convertisseur CC/CC (3,3 V vers 14,5 V)
- Application d'affichage portable
- Technologie haute tension 0,18 um
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Optoélectronique
- Récepteur optique CMOS monolithique
- Immunité à la lumière ambiante 200 klux
- Immunité à la lumière incandescente
- Sensibilité (lambda=800-1000 nm) 3,2 uW - 320 uW
- Technologie haute tension 0,6 um
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Optoélectronique
- Photodiode intégrée pour application d'encodeur
- Balayage double code M 11 bits
- Piste analogique sinus/cosinus
- Signaux en quadrature avec CPR 12 bits
- Réglage amplitude/décalage des photodiodes
- Circuit d'attaque de DEL 7 bits
- Technologie 0,35 um
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Commande de puissance
- Fonctionnement 400 V
- Convertisseur CC/CC
- Encapsulation chip scale (CSP)
- Technologie CMOS 650 V 1,0 um
-
Commande de puissance
- Fonctionnement 60 V
- Contrôle intelligent des dispositifs de commutation
- Encapsulation chip scale (CSP)
- Technologie haute tension 0,18 um
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SoC embarqués
- 3 détecteurs de montant avec convertisseur Delta Sigma 16 bits
- Détecteur CA avec amplificateur à gain élevé et filtre passe-bande à capacités commutées à Q élevé
- Détecteur de métal avec CNA de contrôle 12 bits
- Interface I2C pour la communication
- Technologie 0,18 um
- Taille de puce 0,8 mm x 1,4 mm
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Optoélectronique
- Photodiode sur puce
- Immunité à la lumière ambiante (jusqu'à 25 K lux; spectre équivalent à un corps noir 5780 K)
- Fonctionne avec une forme d'onde d'excitation en train d'impulsions
- Courant maximal du circuit d'attaque de DEL 100 mA
- EEPROM intégrée pour calibration de température
- Technologie haute tension 0,6 um
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Mesure de charge
- Faible bruit (10 e- RMS à pleine échelle 200 Ke-)
- 512 canaux avec photodiode intégrée et CAN 16 bits
- Pas de 39 um
- Faible consommation (0,5 mW/canal)
- Interface simple permettant le contrôle/la lecture de 16 dispositifs via seulement 3 ports LVDS et une interface I2C
- Cycle de lecture court (333 us)
- ASIC pour application médicale
- Technologie optique 0,35 um
- Taille de puce 20 mm x 1,45 mm
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SoC embarqués
- Mémoire flash et SRAM intégrées (programmation JTAG)
- 64 canaux PWM avec résolution 10 bits et fonctions de calibration
- Interface de configuration SPI avec fonctions de sécurité
- Procédé haute tension 0,18 um
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Mesure de charge
- 5 canaux d'amplificateur à faible bruit
- Gain programmable
- Filtres passe-bas et passe-haut à gain programmable pour optimiser les performances du signal
- CAN Delta Sigma 15 bits à 1 ksps
- Interface I2C
- Mémoire FIFO
- Gestion d'alimentation avec mode ultra basse consommation
- Capteur de température
- Technologie 0,18 um
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Capteurs magnétiques
- Capteur magnétique 3 axes (2 verticaux, 1 horizontal)
- 3 canaux de traitement analogique
- Capteur de température intégré
- Réglage de gain sélectionnable
- Interface SPI pour la communication
- Technologie CMOS haute tension 0,35 um
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Commande de puissance
- Tension de commande de grille programmable (+22/-6 V max)
- Surveillance de température
- Surveillance haute tension
- Communication UART
- Protection contre les surintensités
- Technologie CMOS haute tension 0,35 um
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Mesure de charge
- Stitching 2D
- Taille de puce 148 x 115 mm
- Fabrication sur wafers 8 pouces, avec une seule puce par wafer
- Matrice de pixels 2908 x 2304
- Mesure les charges collectées par une matrice d'électrodes sous une couche de conversion directe
- 2304 CAN 16 bits
- Vitesse de lecture 30 images par seconde
- Technologie CMOS haute tension 0,35 um
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Optoélectronique
- Stitching 1D
- Taille de puce 26 x 35 mm
- Matrice de pixels 1936 x 1460
- APS à photodiode pincée 4T
- Sortie analogique en mode tension
- Pixels carrés de 18 um
- Facteur de remplissage >78 %
- Pleine capacité élevée - 800 ke-
- Bruit de lecture <100 e-
- Technologie CMOS 0,18 um
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Capteurs magnétiques
- Détecte la direction du champ magnétique parallèle à la surface du CI
- Vitesse de rotation maximale 200 k tr/min
- Résolution de rotation 12 bits
- Interface SPI
- Interface A quad B et UVW
- Technologie CMOS haute tension 0,35 um
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Capteurs magnétiques
- 128 x 128 pixels avec capteurs Hall X, Y et Z
- Taille de pixel 100 um x 100 um
- Sensibilité de +/-5 mT à +/-80 mT
- Conversion CAN parallèle 12 bits
- Interface SPI rapide de lecture/contrôle
- Technologie CMOS 0,18 um
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SoC embarqués
- Mesure de température calibrée haute sensibilité
- CAN Sigma-Delta
- Interface I2C
- Connexion directe à la batterie avec régulateurs intégrés pour l'alimentation coeur/E/S
- Circuits d'attaque de DEL/LCD intégrés
- Pilote de buzzer intégré
- Capteur de proximité capacitif
- Technologie CMOS 0,18 um
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Commande de puissance
- Alimentation par batterie lithium-ion ou oxyde d'argent
- Convertisseur CC/CC 100 V intégré pour pilote en pont complet d'excitation
- Interface de contrôle I2C
- Courant de stimulation programmable avec rampe de montée/descente contrôlée
- Surveillance courant/tension en temps réel pour ajustement précis de la stimulation
- Protections en temps réel contre surtension et surintensité
- Mémoire OTP pour options de configuration système et paramètres de calibration
- Technologie CMOS haute tension 0,35 um
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Détecteur à ultrasons
- 768 éléments Tx/Rx pour réseau piézo MEMS
- Taille d'élément 150 um x 200 um
- Délais Tx/Rx intégrés de résolution 10 ns / 128 pas dans chaque élément, tension pilote Tx 100 V
- Régulateurs de tension intégrés pour les rails d'alimentation coeur
- Interface 8B10B pour communication hôte
- Technologie CMOS 0,18 um
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Mesure de charge
- Stitching 2D
- Taille de matrice 8192 x 8192
- Taille d'élément 7 um x 7 um
- Mesure d'entrée par charge ou photons
- Matrice tuilable pour panneaux plus grands
- Technologie CMOS 90 nm